制备氧化锡(Ce,Cu)-SnO2纳米粉体及其烧结行为

氧化锡(SnO2)为n型半导体，可在气敏传感器、玻璃电熔电极、熔制特种玻璃的坩埚、 晶体显示器、光电探测器、太阳能电池、保护涂层以及变阻器方面得到广泛的应用[1].纯 SnO2由于表面扩散和蒸发-凝聚等非致密化质量传输机制，仅促使气孔粗化与晶粒长大而 难以致密化[1~3),即使在1400C高温下烧结也难以获得高致密度的陶瓷材料[4]. ZnO12}、 Sb2O5]、V2O{6、Nb20['、CoOl8、Mn0Ol,9 、Li2Ol10] 和Cu11]等氧化物用作SnO2 陶瓷的烧结助剂均有文献报道.其中CuO是特别有效的烧结助剂，低浓度添加(约1mol%), 即可获得较高致密度的SnO2基陶瓷CeO2等稀土氧化物能与SnO2形成介稳态固溶体， 降低SnO2在高温下的晶粒长大速率，从而抑制晶粒长大[12~14].聚合物前驱体法可以制备 成分均匀、化学配比准确、烧结性能良好的粉体，并且产率高，被广泛地用来制备掺杂纳米 粉体[15~17.本文首次采用聚合物法制备CeO2与CuO复合掺杂SnO2纳米粉体，研究了纳 米粉体的粒径大小和形貌特征;并采用凤谷陶瓷回转窑烧结方法研究了掺杂SnO2纳米粉体的烧结性能.